用三维有限元法对柴油机气缸盖几个设计方案作对比分析

以Z6110型柴油机缸盖为例,采用三维有限元建模对几个缸盖方案进行了结构强度对比分析,计算了气缸盖的温度场、综合应力场。其计算结果和试验结果基本吻合,为柴油机气缸盖结构设计改进提供了理论依据。     

双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRT...     

稀土元素对AgCuNi合金铸态显微组织的影响

研究了稀土Y和复合稀土La、Y对AgCu-Ni合金铸态显微组织及力学性能的影响。研究结果表明,随着Y含量的增加,铸态组织晶粒尺寸减小,并由树枝晶逐渐转变为胞晶;稀土元素以化合物(AgCu)5RE形式偏聚在晶界上,当La、Y复合添加时,稀土元素呈共生态在晶界析出;随着RE含量的增加,AgCuNiRE合金显微硬度增加,当RE含量由0.6%增加到2.2%时,合金硬度值比AgCuNi合金增加了0.26~1.28倍。     

米氏旋回剥蚀量计算方法在泌阳凹陷的应用

利用米氏旋回地层学方法对泌阳凹陷古近系与新近系之间区域不整合面的剥蚀量进行了计算。泌阳凹陷古近系\新近系剥蚀量计算可以分为2段:(1)各井各组(段和亚段)选定现有地层的分层和测井曲线数据进入"旋回地层学研究系统"(Version1.0),寻找0.405Ma周期,求最大优势旋回,计算出现有沉积时间;(2)把现有地层沉积时间以外的剥蚀掉的时间,用0.405Ma周期转化为剥蚀厚度。计算结果表明在凹陷的核心地区,仅廖庄组遭到剥蚀,凹陷东南部安棚一带剥蚀量小于100m,向凹陷西、西北以及北部边缘方向逐渐增大,至廖庄组缺失线附近,剥蚀厚度在650m以上。凹陷边缘附近,核桃园组也遭到剥蚀,核桃园组的剥蚀厚度主要介于4.1～666.5m,总剥蚀量在1000m以上。泌阳凹陷已知油田分布于剥蚀厚度大于200m地区。      

占领融合通信高地,引领移动互联网时代

随着IT、互联网、通信三大领域的融合,融合通信逐渐兴起,成为移动互联网时代的战略性基础能力。IT与互联网企业、电信运营商纷纷以融合通信能力为基础培育竞争优势。文章综述了融合通信的内涵、发展历程,揭示了融合通信领域的五大发展趋势：多屏互动,与微博、SNS互通,与软硬件集成,打造3G移动互联网门户,搭建数字化人际交互网;并指出用户规模、产品体验、功能创新和云通信将成为未来市场的竞争焦点。     

基于L-丙氨酸的手性聚酰胺酰亚胺的合成与表征

通过L-丙氨酸与均苯四甲酸二酐的缩合反应得到手性酰亚胺,再与二苯基甲烷二异氰酸酯（MDI）聚合制备出基于L-丙氨酸的手性聚酰胺酰亚胺。用傅立叶红外光谱仪（FT-IR）,核磁共振（1H-NMR）表征了聚合物的结构。用差示扫描量热法（DSC）和热重分析（TG）研究了共聚物的结晶性能和热稳定性,同时对聚合物的溶解性能进行了探...     

我国包装装潢设计存在的问题与探讨

通过对周边琳琅满目的包装装潢产品细细感悟的基础上,了解我国的包装装潢设计还存在着许多问题。指出其水平还处于初级阶段,普遍雷同,中国特色不强烈,进一步分析了这种问题存在的主客观原因。最后通过对两个优秀包装装潢设计的分析,发现只有立足于我国文化传统,并融入当代意识才能设计出在世界上站得住脚的包装装潢设计,由此来探讨我国包装装潢设计未来发展之路。     

对节能降耗与国民经济发展问题的思考

对节能降耗与国民经济发展问题的思考昆明铁路分局姚克俭我国人口众多，人均能源资源拥有量和消费量均不到世界人均水平的一半，当前国民经济正处在高速发展阶段，而能源紧缺又制约了我国国民经济的发展，因此，节约能源对发展经济具有特殊的重大意义。１．节能降耗的实际...     

生物质催化热解的TG-FTIR研究

借助综合热分析仪和傅立叶红外联用技术(TG-FTIR),考察了HUSY、REY和HZSM-53种分子筛以及重油催化裂化催化剂MLC和馏分油催化裂解催化剂CIP对生物质催化热解的活性和选择性。研究结果表明,分子筛对生物质热解产物的脱氧活性顺序为:REY≈HUSY>HZSM-5,生成高辛烷值烃类的选择性顺序为:REY>HUSY≈HZSM-5;MLC催化剂和CIP催化剂都表现出较高的选择活性,前者的脱氧活性略高于后者;择形分子筛HZSM-5的引入对调整催化剂酸强度、提高催化转化选择性和抑制焦炭生成产生一定作用。     

高压BCDMOS集成电路的工艺集成

对高压13CD--MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化．在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管．测试结果表明,样管性能与模拟结果相符．